Samsung: двукратное превосходство новой DDR2 над аналогами

Samsung Electronics объявила о начале массового производства гигабитных чипов DDR2 DRAM на основе технологии 60 нм.В пресс-релизе Samsung обозначила 40% превосходство по производительности 60 нм чипов над 80 нм аналогами и двукратное превосходство над 90 нм чипами. Новая линейка будет включать в себя модули памяти объемом 512 МБ, 1 ГБ, 2 ГБ и частотой 667 МГц и 800 МГц.Напомним, что в октябре Samsung сообщила о разработке 1 Гб чипа DDR2 DRAM на основе 50 нм техпроцесса. Однако в массовое производство они будут запущены не ранее 2008 года, когда 60 нм память завоюет большую часть рынка.