Freescale начала коммерческий выпуск MRAM

Компания Freescale (дочерняя структура Motorola) объявила о запуске в массовое производство микросхем MRAM (Magnetoresistive RAM), которая в долговременной перспективе позиционируется как замена микросхем DRAM , а в настоящее время способна составить серьёзную конкуренцию микросхемам Flash , представляющих собой микросхемы EEPROM с блочной выборкой. На данный момент коммерчески доступны 4 Мбит (16 x 256 К) 3,3 В микросхемы MRAM в стандартном корпусе TSOP-II со временем цикла чтения/записи в 35 нс, которые со временем планируется сократить до 3-5 нс. Как известно, время цикла у современных микросхем DDR SDRAM может составлять до 2 нс, а у микросхем Flash — до 50 нс. Однако, данные микросхемы MRAM выпускаются по довольно старому 180 нм техпроцессу, в то время как современные микросхемы DRAM уже массово производятся по 90 нм техпроцессам. В целом, MRAM отличается от DRAM возможностью хранения данных при отключении питания, а от Flash — более высоким быстродействием, произвольным размером выборки и неограниченным количеством циклов перезаписи.

• Freescale Leads Industry in Commercializing MRAM Technology; 4 Mbit MRAM Memory Product Now in Volume Production
• MRAM Memory Technology